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本申请提出了一种高电源抑制比的无片外电容LDO电路,包括:一阶带隙基准电路、推挽误差放大器、瞬态增强电路、负电容电路和输出电路,其中,一阶带隙基准电路连接推挽误差放大器;瞬态增强电路包括过冲消除电路和欠冲消除电路;过冲消除电路连接负电容电路...该专利属于龙骧鑫睿(厦门)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过龙骧鑫睿(厦门)科技有限公司授权不得商用。
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