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本发明公开了硅异质结太阳能电池及其制备方法，硅异质结太阳能电池包括：半导体基底；钝化层，设在背光面和/或迎光面上；掺杂层，设在钝化层的远离半导体基底的表面上；导电层，设在掺杂层的远离钝化层的表面，导电层远离掺杂层的表面包括间隔设置的第一表面...
该专利属于隆基绿能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过隆基绿能科技股份有限公司授权不得商用。

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