下载一种化学气相沉积制备二维Bi3O2.5Se2半导体薄膜的方法的技术资料

文档序号:40417138

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种化学气相沉积制备二维Bi<subgt;3</subgt;O<subgt;2.5</subgt;Se<subgt;2</subgt;半导体薄膜的方法,属于二维半导体材料领域。包括如下步骤:采...
该专利属于南开大学所有,仅供学习研究参考,未经过南开大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。