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本发明提供一种片上全光开关、片上全光开关的制备方法及光电子器件，片上全光开关包括衬底、设置于衬底上表面的绝缘层、设置于绝缘层上表面的二维拓扑绝缘体层、设置于二维拓扑绝缘体层上表面的隔离层，设置于隔离层上表面的微纳阵列层；微纳阵列层与二维拓扑...该专利属于中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院授权不得商用。