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本发明公开了一种电容结构、电容结构制作方法及其应用，包括设于半导体基底上不同区域的第一电容、第二电容、第三电容中的至少两种，第一电容由下至上包括第一电容区域的第一金属层、第一介质层和第二金属层；第二电容由下至上包括第二电容区域的第一金属层、...
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