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本发明公开了一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法，包括步骤S1：样片清洗；步骤S2：芯层生长；步骤S3：PVD镀膜；步骤S4：掩膜层生长；步骤S5：掩膜层光刻；步骤S6：通过第一刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第一刻蚀工艺包括第一刻蚀气体、第一ICP功率...
该专利属于浙江大学绍兴研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学绍兴研究院授权不得商用。

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