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本发明提供一种无浮栅层闪存，包括：控制栅极、设置于所述控制栅极上的栅极氧化物、设置于所述栅极氧化物上的半导体层和设置于所述半导体层上的源漏电极。其中，所述半导体层包含纳米材料；所述纳米材料包括用于捕获电荷的内核和包裹在所述内核表面的绝缘外壳...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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