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本发明公开了一种基于动态电荷的功率器件瞬态分析模型建模方法，通过建立GaN‑HEMT的精确开关分析模型，并考虑电路的寄生电感、非线性电容和GaN‑HEMTs独特的反向特性，相比其他开关分析模型，本方法基于数据表中的电荷平衡关系和电荷相关曲线...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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