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本发明公开一种面向晶圆级微纳间隙电极制备的斜沉积方法，应用于半导体器件半导体微纳工艺技术、集成电路等领域，针对现有技术存在的间隙形貌不规则、碎屑污染、与CMOS工艺不兼容等问题；本发明通过控制电极的沉积厚度以及沉积角度即可调节微纳间隙尺寸，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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