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本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种提高粉料利用率的碳化硅单晶生长装置及方法，该装置包括坩埚、生长组件、第二保温层及感应加热线圈，坩埚包括坩埚盖和坩埚体，生长组件设置在坩埚体内，包括石墨支撑，石墨支撑的底端固定在坩埚体底部，顶端上设...该专利属于西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）授权不得商用。