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本发明涉及一种薄膜晶体管及阵列基板。本发明在栅极绝缘层上依次制备第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层和所述第一绝缘层形成有底切凹槽；栅极填充于底切凹槽内，由此栅极的长度由底切凹槽的长度决定，即栅极的长度由底切凹槽的刻蚀量决定，进而可以摆脱...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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