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本申请实施例提出一种半导体衬底的制作方法及半导体衬底，属于半导体领域，将两个背面涂敷有粘性磷源的单晶硅片以背面对背面的方式压合得到叠合硅片之后，将叠合硅片放入扩散炉内进行多阶段加热，即可使叠合硅片上的粘性磷源反应生成磷和二氧化硅，且使磷往叠...
该专利属于捷捷半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷半导体有限公司授权不得商用。

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