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本发明公开了混合沟道碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，该碳化硅槽栅MOSFET器件包括沟槽一、沟槽二，衬底、外延层、第一源区和第二源区，第一阱区、第二阱区。于沟槽一和沟槽二中形成栅极电极，在不增加元胞尺寸的前提下，于元胞中集成第一导电...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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