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本发明公开了一种基于抑制电压振荡的SiC MOSFET栅极驱动器，属于电力电子技术领域。该SiC MOSFET栅极驱动器由三个直流电压源、两个图腾柱电路、二个电容、四个二极管、三个电阻和一个单向稳压二极管Z组成。针对SiC MOSFET工作...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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