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本发明属于碳化硅单晶制备领域，公开了一种多温区加热装置及长晶工艺，一种多温区加热装置，包括坩埚，坩埚的底端安装有坩埚支撑，坩埚的周向上部设有上加热器，周向下部设有下加热器，上加热器的上方设置有顶加热器，上加热器的外部周向设置有上屏蔽筒，下加...该专利属于西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）授权不得商用。