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一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成初始沟道结构，初始沟道结构包括若干重叠的沟道层以及牺牲层；形成横跨初始沟道结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧形成源漏开口，牺牲层侧壁相对于沟道层侧壁凹陷，成为内部间隔凹槽；在...
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