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本发明提出了一种氮化硼钝化增强的砷化镓基半导体器件及其制备方法，本发明涉及半导体器件技术领域，所述砷化镓基半导体器件包括衬底层、钝化层、介质层和电极层，衬底层，所述衬底层为砷化物；钝化层，所述钝化层位于所述衬底层和介质层之间，且覆盖所述衬底...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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