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本申请公开了一种碳化硅沟槽表面的修复方法、修复设备及半导体器件，其中，所述碳化硅沟槽由干法刻蚀形成，碳化硅沟槽表面的修复方法包括：将含氟基气体或氯基气体和氧基气体的工艺气体进行离子化处理，以形成等离子体；将等离子体中的带电粒子进行过滤，得到...
该专利属于上海谙邦半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海谙邦半导体设备有限公司授权不得商用。

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