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本发明涉及一种控制半导体刻蚀图形尺寸的方法，涉及新材料半导体工艺技术领域，包括以下步骤：S1，包括刻蚀基底，刻蚀基底上覆盖有刻蚀掩膜；S2，采用共聚焦显微镜和台阶仪对刻蚀掩膜进行测量；S3，刻蚀，并在刻蚀后，将刻蚀掩膜去除。本发明通过共聚焦...
该专利属于杭州泽达半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州泽达半导体有限公司授权不得商用。

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