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本发明公开一种锑化铟焦平面阵列探测器芯片组件低温快速筛选方法，其包括以下步骤：S1、将被测芯片组件置于低温探针台上，使探针与被测芯片组件精确接触，同时提供被测芯片组件工作的低温和真空环境，真空度小于1×10<supgt;‑</s...该专利属于中航凯迈（上海）红外科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航凯迈（上海）红外科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种锑化铟焦平面阵列探测器芯片组件低温快速筛选方法，其包括以下步骤：S1、将被测芯片组件置于低温探针台上，使探针与被测芯片组件精确接触，同时提供被测芯片组件工作的低温和真空环境，真空度小于1×10<supgt;‑</s...