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本发明公开了一种钝化接触结构的制备方法及具有钝化接触结构的晶体硅和晶体硅太阳能电池，属于硅基体钝化技术领域。制备方法包括以下步骤：(1)对硅基体进行表面处理和清洗；(2)硅基体正面绒面结构上制备p+掺杂层，在背面抛光结构上沉积一层隧穿氧化层...
该专利属于中环新能（安徽）先进电池制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环新能（安徽）先进电池制造有限公司授权不得商用。

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