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一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一器件区和第二器件区，沿基底表面的法线方向，第一器件区和第二器件区的基底顶部凸立有沟道凸起部，基底的顶部形成有覆盖沟道凸起部部分顶部和部分侧壁的栅介质层、以及覆盖栅介质层的第一功函数层...
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