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本发明公开了一种基于ｃ面ＳｉＣ衬底的极性ｃ面ＧａＮ薄膜的生长方法，主要解决常规极性ｃ面ＧａＮ材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：（１）将ｃ面Ａｌ２Ｏ２衬底置于ＭＯＣＶＤ反应室中，对衬底进行热处理；（２）在ｃ面Ａｌ２Ｏ３衬底上生长厚度...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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