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本发明提供了一种倒装mini‑LED芯片及其制备方法，该倒装mini‑LED芯片的制备方法所形成图形化的第一绝缘层即第一层ISO，其是采用ALD机台基于第一图形化掩膜低温沉积形成的，无需进行干法刻蚀或者湿法刻蚀，显然也不会影响N型半导体层暴...
该专利属于江西乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西乾照光电有限公司授权不得商用。

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