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基于c面Al2O3衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法技术
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下载基于c面Al2O3衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法的技术资料
文档序号:4030025
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本发明公开了一种基于c面A12O3衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差,应力大的问题。其生长步骤是:(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中,对衬底进行热处理;(2)在c面Al2O3衬底上...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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