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本发明公开了一种基于可选区域晶界扩散的R‑T‑Ga‑B稀土永磁体及其制备方法，在钕铁硼磁体基体的扩散表面选区涂覆扩散源，在扩散表面的边角区，涂覆扩散源，在非边角区不涂覆扩散源，扩散源为重稀土和金属Ga的混合干粉，然后进行扩散处理，得到基于可...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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