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本公开提供了一种功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。该功率半导体器件，包括：衬底、外延层、微结构层、栅电极、漏电极和源电极；外延层生长在衬底的一面；微结构层位于外延层背向衬底的一面，微结构层包括GaN层和GaAs层...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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