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对pn二极管附加MOS控制功能而成的MOS控制二极管(1)具备：半导体基板，具有第1导电类型的漂移层(104)；第2导电类型的阳极层(103)，在所述漂移层上与该漂移层构成PN结二极管(2)；所述阳极层上的第1导电类型的阱层(113)；所述...
该专利属于株式会社日立功率半导体所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立功率半导体授权不得商用。

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