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一种生长具有氮空位类石墨相氮化碳薄膜的方法，包括以下步骤：1)将三聚氰胺与硫脲前驱体机械研磨混合后放入石英坩埚备用，将ITO衬底清洗晾干。然后将坩埚和衬底分别放入CVD管式炉对应的位置；2)将步骤1)衬底升温后，将前驱体加热升华并载气的气流...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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