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一种带浮置埋层的碳化硅高压Ｎ型金属氧化物半导体管，包括Ｐ型碳化硅衬底，在Ｐ型碳化硅衬底上设Ｐ型外延层，在Ｐ型外延层内设源和Ｎ型漂移区，在Ｎ型漂移区内设有漏和Ｐ型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与Ｎ型漂移区之间的Ｐ型...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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