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一种减少大尺寸硅单晶氧化层错的拉晶方法，包括多支晶棒的拉制，第一支晶棒在拉晶等径阶段使其初始拉晶状态的晶棒头部有比后续更高拉晶速度，收尾过程中控制时长2.0‑2.5h，完成后在晶棒偏离液面后控制晶棒1h内提升到单晶炉副室，当晶棒到达单晶炉副...
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