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本申请实施例提供一种制作半导体器件的方法、半导体器件、芯片和电子设备，该方法包括：在衬底上方形成硬掩膜层；在硬掩膜层上方形成牺牲材料层；对该牺牲材料层进行刻蚀，得到第一虚拟鳍片图案；对第一虚拟鳍片图案中的部分侧墙进行刻蚀，得到第二虚拟鳍片图...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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