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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构，衬底中形成有源区和漏区，漏区上形成有场氧化层，场氧化层上形成有阻挡层，阻挡层上形成有层间介电层；刻蚀层间介电层和阻挡层以形成场板刻蚀结构，场板刻蚀结构露出场氧化...
该专利属于荣芯半导体（淮安）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过荣芯半导体（淮安）有限公司授权不得商用。

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