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一种多栅氧化双功函数的超结横向扩散金属氧化物半导体，主要包括硅衬底、P类Drift浓度掺杂区、超结漂移区、源区、栅极、漏区，将多栅氧化物双函数的栅极结合在超结结构的横向扩散金属氧化物半导体的导电沟道上形成新的结构，提高了器件整体的工作频率，...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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