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本发明涉及一种集成电路制造工艺方法，尤其涉及一种密集金属图形的制作方法。本发明在使用相同光刻机和光刻胶制作密集金属图形，对于极限分辨率条件下(图形最小周期为P)，通过传统密集图形制作工艺，其密集图形最小线宽为P/2；而采用两次光刻‑金属沉积...
该专利属于国科天骥（滨州）新材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过国科天骥（滨州）新材料有限责任公司授权不得商用。

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