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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,属于半导体技术领域,所述半导体结构包括:衬底,包括第一区域和第二区域;多个浅沟槽隔离结构,设置在所述第一区域和所述第二区域之间;第一浅沟槽隔离凹陷区,设置在所述第一区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内;以及...该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,属于半导体技术领域,所述半导体结构包括:衬底,包括第一区域和第二区域;多个浅沟槽隔离结构,设置在所述第一区域和所述第二区域之间;第一浅沟槽隔离凹陷区,设置在所述第一区域两侧的所述浅沟槽隔离结构内;以及...