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本发明提供了一种基于新型立体掩模进行异质外延生长的方法，该方法为：先用衬底制备含有立体掩膜的衬底，然后对含有立体掩膜的衬底进行预处理，将得到的预处理后含有立体掩膜的衬底放入腔室温度为500℃的MOCVD腔室中，在预处理后含有立体掩膜的衬底的...
该专利属于石河子大学所有，仅供学习研究参考，未经过石河子大学授权不得商用。

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