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本发明公开了一种增强型垂直环栅GaN HEMT器件及制备方法，器件包括：自底向上布置的漏区Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;钝化层、漏电极、n+GaN衬底、n‑GaN缓冲层、p+G...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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