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本发明公开了一种制备高迁移率低陷阱密度的有机晶体管和集成电路的策略及其应用。策略为采用非对称的有机半导体分子作为活性层，通过物理气相传输法在介电层上生长分子单晶，通过转移或者蒸镀金属制备晶体管，具有高迁移率，低陷阱密度，这对于未来发展与生命...
该专利属于中国科学院化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院化学研究所授权不得商用。

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