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本申请涉及一种选择性掺杂结构，所述选择性掺杂结构包括：硅片，所述硅片的一面的区域划分为接触区和非接触区；设置在所述硅片的一面的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层表面的磷掺杂多晶硅层，所述接触区的多晶硅的磷掺杂浓度高于所述非接触区；设置在所述接...
该专利属于中环新能（安徽）先进电池制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环新能（安徽）先进电池制造有限公司授权不得商用。

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