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本发明属于功率半导体领域，具体涉及一种氧化镓衬底的表面处理方法、一种大尺寸氧化镓功率器件的制造方法，及对应的大尺寸氧化镓功率器件。表面处理方法包括如下步骤：S1：对包含外延材料的氧化镓衬底进行清洗和干燥，清洗工艺依次包括：(1)利用有机溶剂...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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