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本申请提供了一种晶体管的结构和制备方法，晶体管的结构包括：衬底；设置于衬底之上的第一绝缘层；依次设置于第一绝缘层之上的第一高K介电层、沟道层和第二高K介电层；设置于的第二高K介电层之上的源极、漏极和第一栅极，源极和漏极位于第一栅极的两侧，源...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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