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本发明涉及一种超薄(＜30nm)M相二氧化钒薄膜制备工艺，工艺步骤依次为钒金属的沉积和钒金属的氧化，其中包括清洗基片(普通载玻片、硅等)，设置溅射参数，抽真空，常温下磁控溅射，管式炉退火，设置反应气体氛围等基本操作流程。利用常温下磁控溅射与...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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