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本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述功率半导体器件包括：衬底，所述衬底上设置有多层外延层；柱区，设置在所述外延层内，所述柱区包括第一分部和第二分部，所述第一分部设置在所述衬底上，所述第二分部设置在所述第一分部...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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