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本发明属于纳米超级电容技术领域，具体为一种纳米超级电容的制备方法。本发明首先采用阳极氧化铝和金属辅助刻蚀工艺，在重掺杂的低阻硅片上形成密度高、深宽比大，且高度有序的深槽结构，然后以此深槽结构为模板制备得到纳米超级电容。所述的金属催化刻蚀工艺...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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