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本发明提供了一种ZnGa<subgt;2</subgt;O<subgt;4</subgt;薄膜的制备方法，利用超高真空物理方法使用高能量激光轰击靶材表面，材料被蒸发并形成高浓度的等离子体，该制备方法优势为工艺参数可调...
该专利属于鲁东大学所有，仅供学习研究参考，未经过鲁东大学授权不得商用。

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