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本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种多列柱型栅极结构的多沟道GaN HEMT。本发明中栅极由多个P型材料层与栅极金属形成的栅极柱构成，栅极柱由器件表面延伸到缓冲层。在器件栅极处于零偏或反偏状态下，P型材料与非故意掺杂的AlGaN、GaN层...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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