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本发明公开了一种高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法，利用窄带半导体对ＴｉＯ２纳米管阵列进行修饰，其特征在于：通过阳极氧化法制得二氧化钛纳米管阵列模板，所得阵列模板经４５０℃退火３．５小时；再将其依次浸渍于硝酸铅溶液、去离子水、硫...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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