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一种基于砷化镓/氧化镓PN异质结紫外光电探测器及制备方，属于半导体光电探测器技术领域。由Au电极、p‑GaAs衬底、UID‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;低温缓冲层、n(轻掺杂...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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