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本发明公开了一种高驱动能力的MOSFET器件，包括：源极、栅极、P型沟道、P屏蔽层、P型基区、P型半导体区域、N型半导体区域、导电衬底层、N型漂移层和漏极；源极与P型基区电气连接，P型基区通过P型半导体区域、N型半导体区域形成PN结构；栅极...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

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